您的位置: 旅游网 > 女人

Vishay发布2014年Super12

发布时间:2019-08-15 18:03:35

  Vishay Intertechnology宣布,发布其2014年 Super 12 明星产品。每年,Vishay都会挑出12款采用全新技术,能够大幅提高终端产品和系统性能的重要半导体和无源元器件。Vishay的Super 12集中展示了公司在半导体和无源器件的卓越实力,并且让人能从中了解Vishay的广泛产品组合。

  2014年的Super 12产品如下:

  Vishay Dale WSLP表面贴装Power Metal Strip 电阻 WSLP是用于高性能产品如汽车、计算机、工业和消费应用,采用小尺寸外形,具有10W高功率和低至0.000 的极低阻值,以及0.5%的严格阻值容差。

  采用SMPA封装的Vishay Semiconductors TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器 45V器件在 A电流下的正向压降低至0. 7V,高度为0.95mm,采用SMPA封装,通过AEC-Q101认证,适合汽车应用,50V整流器适用于智能和平板电脑的充电器。

  Vishay Sfernice PRAHT高精度薄膜SMD卷包片式电阻 PRAHT 4电阻络适用于高温钻井和航空应用,工作温度从-55℃到+215℃,最高储存温度达+2 0℃,是业内首个采用薄膜技术制造的排阻。

  Vishay Semiconductors TCPT1 50X01/TCUT1 50X01 SMD透射式光传感器 通过AEC-Q101认证的单通道TCPT1 50X01和双通道TCUT1 50X01适合汽车和工业应用,工作温度高达+125℃,间隙宽 .0mm,典型输出电流为1.6mA。

  Vishay Dale IHCL复合耦合电感器 IHCL器件采用IHLP 技术制造,可在SEPIC DC/DC转换器中实现高性能。器件在小尺寸10.16mm x 10.67mm封装里集成了两个电感器,耦合超过90%,工作温度高达+155℃。

  Vishay Siliconix SiZ 40DT双通道N沟道 0V MOSFET 非对称双通道功率MOSFET采用TrenchFET Gen IV技术,比采用PowerPAIR mm x mm封装尺寸的前一代器件的导通电阻低57%,功率密度高25%,效率高5%。

  Vishay Roederstein MKP1848C金属化聚丙烯DC-Link膜电容器 MKP1848C针对DC-link应用,1 F~500 F的容量范围是业内最宽的,占位只有9mm x 2mm x 19mm,电压等级为500V~1200V。

  Vishay Siliconix SiP12109 microBUCK 集成同步降压稳压器 4A电流的SiP12109在节省空间的 mm x mm QFN-16封装里集成了高边和低边功率MOSFET,为设计者提供了面积仅有180mm2的完整高电流解决方案。

  Vishay Vitramon QUAD HIFREQ系列MLCC QUAD HIFREQ系列MLCC是针对通信、医疗、军工和工业设备及仪表中的高频RF应用而设计的,具有超过2000的超高Q值和0.01 的超低ESR,采用1111外形尺寸,电压等级为1500V。

  Vishay Siliconix SiHG47N60E/E系列高压MOSFET SiHG47N60E属于Vishay的E系列600V MOSFET,在10V下的导通电阻为99m ,栅极电荷为147nC,可以实现极低的传导和开关损耗,在高功率、高性能开关应用中能够节省能源。

  Vishay MCB WCR水冷功率电阻 WCR电阻在60℃进水口温度下的功率耗散高达2500W,可以承受10秒钟的5000W高能脉冲,适合用作大型驱动器、HVDC/SVC的缓冲器和直流分压电阻。

  采用SMPD封装的Vishay Semiconductors TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器 这些45V~120V器件针对商业应用,在15A下的正向压降低至0.40V。SMPD封装的占位兼容D2PAK(TO-26 ),而1.7mm的典型高度则更低。

2014年北京汽车出行D轮企业
民字当头宿字为本能把跑偏的民宿拉回正轨吗
2011年珠海教育综合B轮企业
猜你会喜欢的
猜你会喜欢的